stake官网入口

中文 EN
首页
关于stake官网入口
新品宣布
工业中低频应用的“能效密码” ？大电流微沟槽IGBT带来谜底
工业中低频应用的“能效密码” ？大电流微沟槽IGBT带来谜底 返回
 新产品宣告

产品先容 stake官网入口科技克日推出了新一代 To-247PLUS 封装1200V IGBT单管，产品接纳新一代微沟槽工艺平台，极大的优化了器件的导通消耗，产品参数一致性好，可靠性优良，适用于伺服、变频器等种种中低频应用领域。
产品特点 1. G3 1.6um微沟槽工艺平台，极具性价比的芯片计划；
2. 电压品级为1200V，电流品级为100A@Tc=100℃ ；
3. 低导通消耗，适用于中低频应用领域；
4. 较强的短路能力
规格书

DGQ100N120CTL2A

相关新品

100V TOLL Package MOSFET

SMBF二极管

650V Super Junction N-Channel MOSFET

TO-220AB封装功率三极管，解锁大功率应用新可能！

用于PC主板的High-side+Low-side PDFN5060 N30V Mosfet

N100V MOSFET：给PD电源安排“低耗抗造”超顶内核~

PB-A新封装适配广，多场景“闭眼入”不踩雷

SiC 二极管：耐高温hold住光伏场景，低消耗提效电源性能

Econo 3系列 IGBT� ？�，变频伺服领域“平替黑马”

GBU封装扩充35A-50A大电流系列产品

Privacy Cookies 本网站使用浏览器纪录 Cookies 来优化您的使用体验，相关信息请会见我们的执法声明与隐私声明。若是您选择继续浏览这个提醒，便体现您已接受我们网站的使用条款。

网站地图